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产品描述
产品名称:ETAMax自动光致发光成像系统TO-LED
产品型号:TO-LED
产品介绍:
PLIMA-LED系列是HORIBA整合EtaMax技术后推出的针对MicroLED市场的全流程在线系统。该系统支持从COW(Chip on Wafer,晶圆上的芯片)到COC(Chip on Carrier,载板上的芯片)乃至模组化的全流程在线检测,是确保MicroLED量产过程中每一颗芯粒都合格的关键防线。
TO 是一款全自动光致发光成像系统,是专为评估化合物半导体晶圆级光谱特性而优化的测量设备。根据泵浦激光器和光谱仪的选择,TO可评估从深紫外(DUV)到近红外(NIR)波段的光谱特性。TO 提供广泛的定制选项,可应用于多种领域(如 LED、功率器件、光通信等)。
性能特点:
多技术融合:PLIMA-LED系列将宏观与微区光致发光成像(Macro PL & Micro PL)、基于BSI/线扫相机的高分辨PL成像技术与AOI(Automated Optical Inspection,自动光学检测)缺陷检测结合,实现了对MicroLED芯粒的整体检测。
测量:该系统可检测小至2μm的MicroLED芯粒的发光强度、峰值波长、色度一致性、缺陷形貌与位置偏移等关键参数,确保每一颗芯粒都符合质量要求。
全流程支持:PLIMA-LED系列支持从晶圆、COW、COC多形态载体上的缺陷检测,满足MicroLED从实验线走向量产线的全流程检测需求。
技术参数:
产地:韩国
系列:TO系列
晶圆移动(用于成像):
XY线性电机载物台(用于晶圆移动)
Z轴载物台(用于补偿基板厚度)
晶圆处理:
三轴伺服控制晶圆传输机器人
晶圆预对准装置
探测器:
焦距193毫米,双输出成像光谱仪。
电动入射狭缝
双光栅转盘
- 300线/mm,500 nm 锥面光栅
- 600线/mm,300 nm 锥面光栅
紫外增强型热电制冷CCD探测器
- 光谱范围:200~1050 nm
光源:
#1:266 nm DPSS激光器(>10mW)
#2:375 nm 连续波激光器(50 mW)
#3:532 nm 连续波激光器(50 mW)
用于厚度和反射率测量的卤素灯
测量
重复性
波长(Wp、Wd)、半高宽(FWHM):± 2.5 nm
相位指数(PI)、积分指数(II)、反射率:± 2.5 %
厚度:± 1 %
弯曲度:± 2 μm(>30 μm)
再现性
Wp、Wd、FWHM:± 5 nm
PI、II、反射率:± 5 %
厚度:± 1 %
弯曲度:± 5 μm(>30 μm)
操作软件
编程语言:C#
操作模式:操作员、工程师、维护
工作环境
场所:洁净室(ISO3级)
温度:15-35 ℃
湿度:< 85%RH(无露凝结)
TO(自动装载系统)
尺寸:约 1550(宽) x 1200(深) x 1600(高) mm
重量:约 700 kg
输入电压/电流:单相 220 V,30 A
CDA 或 N2:0.4-0.6 MPa
真空:-80 kPa
产地 | 韩国 |
系列 | TO系列 |
晶圆移动(用于成像) | XY线性电机载物台(用于晶圆移动) |
Z轴载物台(用于补偿基板厚度) | |
晶圆处理 | 三轴伺服控制晶圆传输机器人 |
晶圆预对准装置 | |
探测器 | 焦距193毫米,双输出成像光谱仪。 |
电动入射狭缝 | |
双光栅转盘 | |
- 300线/mm,500 nm 锥面光栅 | |
- 600线/mm,300 nm 锥面光栅 | |
紫外增强型热电制冷CCD探测器 | |
- 光谱范围:200~1050 nm | |
光源 | #1:266 nm DPSS激光器(>10mW) |
#2:375 nm 连续波激光器(50 mW) | |
#3:532 nm 连续波激光器(50 mW) | |
用于厚度和反射率测量的卤素灯 | |
测量 | |
重复性 | 波长(Wp、Wd)、半高宽(FWHM):± 2.5 nm |
相位指数(PI)、积分指数(II)、反射率:± 2.5 % | |
厚度:± 1 % | |
弯曲度:± 2 μm(>30 μm) | |
再现性 | Wp、Wd、FWHM:± 5 nm |
PI、II、反射率:± 5 % | |
厚度:± 1 % | |
弯曲度:± 5 μm(>30 μm) | |
操作软件 | |
编程语言 | C# |
操作模式 | 操作员、工程师、维护 |
工作环境 | |
场所 | 洁净室(ISO3级) |
温度 | 15-35 ℃ |
湿度 | < 85%RH(无露凝结) |
TO(自动装载系统) | |
尺寸 | 约 1550(宽) x 1200(深) x 1600(高) mm |
重量 | 约 700 kg |
输入电压/电流 | 单相 220 V,30 A |
CDA 或 N2 | 0.4-0.6 MPa |
真空 | -80 kPa |
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